鑄劍需要千百次的錘打和冶煉，而一代代芯片的迭代誕生，便是經歷千錘百煉之后仍不終結磨練。
比亞迪半導體堅持技術創新，不斷進行技術更新迭代，繼2018年在寧波發布IGBT4.0芯片技術以來，歷時兩年積累沉淀，打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片，并計劃于比亞迪半導體西安研發中心全新發布。
IGBT芯片
汽車工業大變革，電動化是上半場，智能化是下半場，電動車產業正在加速進入以智能化、網聯化為代表的中高級發展階段，對 IGBT功率半導體、MCU 微處理器等車規級芯片的需求也越來越大 。自2002年進入半導體領域以來，比亞迪半導體在2009年便推出國內首款自主研發的 IGBT 芯片，2018年推出 IGBT4.0 芯片并樹立國內中高端車用IGBT新標桿。截止2020年底，以IGBT為主的車規級功率器件累計裝車超過100萬輛，單車行駛里程超過100萬公里。
電動中國芯IGBT4.0技術解析會
IGBT4.0芯片通過精細化平面柵設計，使得同等工況下，綜合損耗較市場主流產品降低了約20%，整車電耗顯著降低。此次比亞迪半導體即將發布的IGBT6.0芯片，預計將在有“西部硅谷”之稱的西安市重磅發布。
IGBT6.0芯片采用新一代自主研發的高密度溝槽柵技術，相較同類產品在可靠性及產品性能上將實現重大突破，達到國際領先行列。
比亞迪半導體西安研發中心大樓
西安研發中心辦公區
當然，其它更多亮點還有待發布之日揭曉，敬請期待！
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