憑借長遠獨到的眼光、以及多年的功率器件設計經驗和集團汽車級應用平臺資源，比亞迪半導體率先進軍SiC功率器件研發領域，現已成為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的半導體公司。
在SiC器件領域，比亞迪半導體已實現SiC模塊在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用，其自主研發制造的高性能碳化硅功率模塊，是全球首家、國內唯一實現在電機驅動控制器中大批量裝車的SiC三相全橋模塊。
那么，這款“塊頭不大”的模塊有什么獨特之處？其領先的技術優勢究竟是如何煉成的？下面一起揭開它“神秘的面紗”……
比亞迪半導體碳化硅模塊
比亞迪半導體碳化硅功率模塊是一款三相全橋拓撲結構的灌封全碳化硅功率模塊，主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。
1) 其采用納米銀燒結工藝代替傳統軟釬焊料焊接工藝，提升了高溫可靠性，充分發揮SiC高工作結溫性能。相比傳統焊接產品，可靠性壽命提升5倍以上，連接層熱阻降低95%；
? 納米銀燒結工藝燒結體具有優異的導電性、導熱性、高粘接強度和高穩定性等特點，應用該工藝燒結的模塊可長期工作在高溫情況下
? 納米銀燒結工藝在芯片燒結層形成可靠的機械連接和電連接，半導體模塊的熱阻和內阻均會降低，整體提升模塊性能及可靠性
? 燒結料為純銀材料，不含鉛，屬于環境友好型材料
納米銀燒結對比傳統焊料燒結
2) SiC芯片正面互聯采用先進的Cu clip bonding工藝，提高了SiC模塊的過流能力，增強了散熱性能，降低了芯片的溫升；
3) 采用超聲波焊接工藝連接絕緣基板金屬塊與外部電極，減小模塊雜散電感，并增強過流及散熱能力；
超聲波焊接圖
4) 采用氮化硅AMB（活性金屬釬焊）陶瓷覆銅基板，大幅降低熱阻，良好的散熱提升了芯片使用壽命；
此外，比亞迪半導體SiC模塊可滿足20KHz以上的使用頻率，使車主暢想靜音駕駛。
SiC功率模塊亮點頻顯，不難發現，其超低的開關及導通損耗、超高的工作結溫等特性，在實現系統高效率和高頻化方面起到了決定性作用。SiC功率模塊不僅僅帶來電控效率、續航能力的提升，同時使功率密度增加至少一倍，輸出功率可達250KW以上，且同功率水平下，模塊體積較IGBT縮小一半以上。
該碳化硅功率模塊已于2020年搭載比亞迪明星車型“漢EV”上市，讓電驅系統將功率與扭矩發揮到極致，大幅提升了電驅的性能表現，助力整車實現百公里加速3.9s，這也是比亞迪旗艦車型漢成為全球新能源汽車行業明星產品的”真功夫“之一！
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